特許
J-GLOBAL ID：200903075122680512
窒化ホウ素含有膜被覆基体とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-127688
公開番号（公開出願番号）：特開平5-320870
出願日： 1992年05月20日
公開日（公表日）： 1993年12月07日
要約：
【要約】【構成】 基体1上に周期律表におけるIVa及びIVb属元素を含有する膜2が形成され、膜2上に窒化ホウ素含有膜3が形成されている基体1であって、窒化ホウ素含有膜3の結晶構造が基体1表面から膜3の表面に移行するに従って、立方晶系閃亜鉛鉱型あるいは六方晶系ウルツ鉱型の結晶構造の少なくともいずれかを含むものから、前記結晶構造の少なくともいずれかと、六方晶系のグラファイトに類似した結晶構造との混成したものに順次変化している窒化ホウ素含有膜被覆基体。【効果】 IVa又はIVb属元素を含有する膜2が窒化ホウ素含有膜3と基体1との間に形成されていることにより、それら膜2、3及び基体1との密着性が向上するとともに、硬度が高く、かつ化学的安定性、摺動性、潤滑性等に優れた窒化ホウ素含有膜3を得ることができる。
請求項（抜粋）：
基体上に周期律表におけるIVa又はIVb族元素を含有する膜が形成され、該膜上に窒化ホウ素含有膜が形成されている基体であって、前記窒化ホウ素含有膜の結晶構造が基体表面から膜の表面に移行するに従って、立方晶系閃亜鉛鉱型あるいは六方晶系ウルツ鉱型の結晶構造の少なくともいずれかを含むものから、前記結晶構造の少なくともいずれかと、六方晶系のグラファイトに類似した結晶構造との混成したものに順次変化していることを特徴とする窒化ホウ素含有膜被覆基体。
引用特許：
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