半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-324758
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150352
出願日： 1998年11月16日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【目的】半導体基板表面にレジストの未塗布部分をなくすと共に、パターンの微細加工にも適用できる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】回転テーブル2上に半導体基板3を載置し、該半導体基板3の上方に移動式のノズル14を配置し、このノズル14からレジストを滴下して該半導体基板3の上表面にレジスト塗布膜を形成する半導体装置の製造方法において、上記ノズル14を、回転している半導体基板3の外周部から中心部方向に移動させながらレジストを滴下してレジスト塗布膜を形成する。

請求項（抜粋）：

回転テーブル上に半導体基板を載置し、該半導体基板の上方にノズルを配置し、このノズルからレジストを滴下して該半導体基板の上表面にレジスト塗布膜を形成する半導体装置の製造方法において、上記ノズルを、回転している半導体基板の外周部から中心部方向に移動させながらレジストを滴下して前記半導体基板にレジスト塗布膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , B05C 11/08 , B05D 1/40 , G03F 7/16 502

FI (4件)：

H01L 21/30 564 D , B05C 11/08 , B05D 1/40 A , G03F 7/16 502

Fターム (10件)：

2H025AB16 , 2H025EA05 , 4D075AC64 , 4D075AC84 , 4D075DA08 , 4D075DC22 , 4F042AA07 , 4F042EB18 , 5F046JA02 , 5F046JA13

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