有機シリカガラスのビアエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅村皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-282571
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188155
出願日： 2002年09月27日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】有機シリカガラスのビアエッチングにおいて、確実にエッチングを行い、しかもオーバーエッチングにより銅が誘電体層に拡散することがないようにする必要がある。【解決手段】基板、エッチストッパ層、有機シリカガラス層、フォトレジスト層を有するウエーハをプラズマエッチングするにあたり、混合原料ガスの成分を1段階目と2段階目で変えることにより、1段目で高速のエッチングを行い、2段階目のガスの材料に対する選択性を大きくして、オーバーエッチングを防ぎ、全体として、ビアエッチングを確実に実施することが出来る。

請求項（抜粋）：

該基板、該基板から外側へ付着した約500オングストローム以下の厚さの炭化ケイ素層、該炭化ケイ素層から外側へ付着した有機シリカガラス層、及び該有機シリカガラス層から外側に付着したフォトレジスト層を有するウェーハを準備すること;該ウエーハを加工室に置くこと;第1の混合原料ガスを該加工室に導入すること;該第1の混合原料ガスを用いて有機シリカガラス層の第1部分をエッチングすること;フルオロカーボン、アルゴン、一酸化炭素、窒素及び酸素を含む第2の混合原料ガスを該加工室に導入すること;フルオロカーボンの体積流量が2〜20sccm、アルゴンの体積流量が100〜400sccm、一酸化炭素の体積流量が50〜200sccm及び酸素の体積流量が約10sccm未満であり、少なくとも有機シリカガラスからシリカ基を除去する速度と同等の速度で有機シリカガラスのエチル基を除去するのに十分な窒素の体積流量の該第2の混合原料ガスを用いて、約30〜90秒の間、該有機シリカガラスの第2の部分を該炭化ケイ素層に達するまで下にエッチングすること;エッチストッパ層をエッチングすること;及び該ウエーハを清浄化すること;を包含する誘電材料のビアエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/28 , H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/28 L , H01L 21/302 105 A , H01L 21/90 A , H01L 21/90 S , H01L 21/302 301 Z

Fターム (53件)：

4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104CC01 , 4M104DD04 , 4M104DD07 , 4M104DD08 , 4M104DD15 , 4M104DD17 , 4M104DD20 , 4M104EE08 , 4M104EE14 , 4M104EE18 , 4M104HH16 , 4M104HH20 , 5F004BA04 , 5F004CA01 , 5F004CA02 , 5F004DA01 , 5F004DA02 , 5F004DA03 , 5F004DA23 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB00 , 5F004EA23 , 5F004EA28 , 5F004EB01 , 5F004EB03 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ13 , 5F033QQ15 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ92 , 5F033RR01 , 5F033RR06 , 5F033RR25 , 5F033TT07 , 5F033WW00 , 5F033WW02 , 5F033WW06 , 5F033XX24 , 5F033XX27 , 5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (4件)

エッチング方法、半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-117680 出願人：松下電器産業株式会社
特開平4-315453
ドライエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-307327 出願人：ソニー株式会社

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