半導体発光素子およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高島一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-213475
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065210
出願日： 1996年08月13日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】 GaPを結晶基板としInGaAlP系材料からなるダブルヘテロ接合構造を発光部として用いる発光素子において、発光効率、長期的な経時変化に対する信頼性のより高い発光素子を提供すると共に、その好ましい製造方法を提供すること。【解決手段】 GaPからなる結晶基板1(図の例ではp型)と、InGaAlP系材料からなるp型クラッド層21、活性層22、n型クラッド層23がダブルヘテロ接合されてなる発光部2とを有する発光素子であって、活性層の厚みを0.75μmより大きく1.5μm以下、および/または、p型クラッド層の厚みを0.5μm〜2.0μmとする。GaAs結晶基板を出発基板とし、その上にInGaAlP系材料からなるダブルヘテロ接合構造を形成し、さらにGaP層を厚膜に形成した後、出発基板を除去して製造するのが好ましい。

請求項（抜粋）：

GaP結晶基板と、p型クラッド層、活性層、n型クラッド層からなるダブルヘテロ接合構造の発光部とを有する半導体発光素子であって、発光部はInGaAlP系の化合物半導体材料からなり、活性層の厚みが0.75μmより大きく1.5μm以下、および/または、p型クラッド層の厚みが0.5μm〜2.0μmであることを特徴とする半導体発光素子。

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