特許
J-GLOBAL ID：200903075135065191
半導体ウェハの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
衞藤 彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-354914
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193030
出願日： 1993年12月25日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【目的】 表面にポリシリコン膜が堆積された半導体ウェハのエッジ部に堆積されたポリシリコン膜を簡単に除去する。【構成】 半導体ウェハのエッジ部に堆積されたポリシリコン膜を、表面に砥粒が設けられたテープを該エッジ部に摺動させることにより除去する。
請求項（抜粋）：
少なくとも片面にポリシリコン膜を堆積させた半導体ウェハの製造方法において、半導体ウェハのエッジ部に堆積されたポリシリコン膜を、表面に研磨物を設けたテープを該半導体ウェハのエッジ部に摺動させて除去することを特徴とする半導体ウェハの製造方法
IPC (4件)：
H01L 21/304 301
, B24B 9/00
, B24B 21/00
, H01L 21/02
