複合型MOSFET

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：薄田利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-310152
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167838
出願日： 1994年12月14日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：

【要約】【目的】ドレイン端子がソース端子に対し、正方向にも負方向にも共に高い耐圧を有し、従来のパワーMOSFETと同様のプロセスを用いてワンチップで実現可能な複合型MOSFETを提供する。【構成】パワーMOSFET10,11のドレイン同士を接続し、MOSFET10のソース及びゲートをそれぞれ複合型MOSFET60のソース端子0及びゲート端子1とし、MOSFET11のソースをドレイン端子2とする。端子2の電圧が負の場合にMOSFET11をオフ駆動する電圧比較回路50を設け、端子1とMOSFET11のゲートとの間に端子2から回路50を介して端子1へ流れる電流を阻止すると共に端子1の電圧をMOSFET11のゲートに伝える電圧伝達回路51を設ける。正方向の耐圧はMOSFET10により、負方向の耐圧はMOSFET11により得ることができる。

請求項（抜粋）：

第1のMOSFETと第2のMOSFETのドレイン同士を接続して、第1のMOSFETのソースをソース端子とし、第2のMOSFETのソースをドレイン端子とし、第1のMOSFETのゲートをゲート端子とした複合型MOSFETであって、前記ドレイン端子の電圧が前記ソース端子の電圧に対して負である間は第2のMOSFETをオフにする負電圧検出駆動手段と、ドレイン端子から負電圧検出駆動手段を介してゲート端子へ流れる電流を阻止すると共に前記ゲート端子に入力された入力電圧信号に応じて第2のMOSFETをオンする入力伝達手段とを有することを特徴とする複合型MOSFET。

IPC (4件)：

H03K 19/173 , H01L 21/336 , H03K 19/003 , H03K 19/0944

FI (2件)：

H01L 29/78 658 G , H03K 19/094 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-122665
特開平2-179223
特開平2-065625

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