特許
J-GLOBAL ID：200903075141566380
レチクル
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-261436
公開番号（公開出願番号）：特開平9-106935
出願日： 1995年10月09日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：
【要約】【課題】 マスク位置合わせ精度判定用のパターンとデフォーカスレベル判定用のパターンをレチクルに設けることにより、フォトリソグラフィ工程におけるマスク位置合わせ精度とデフォーカスレベルを簡単に判定できるようにする。【解決手段】 マスク位置合わせ精度判定用のパターンに応じて形成されたパターン9は1辺の長さが9.0μmの正方形形状のものであり、下地パターン7はパターン9の形状にそれぞれ応じた形状で、それぞれの1辺の長さを5.0μmとしている。パターン9と下地パターン7との矢印AおよびB方向のそれぞれの幅の均等具合に応じてマスクの位置合わせ判定が行なえる。さらに、大きさの異なるパターン1a〜1eに応じてレジストに形成される開口部10a〜10dの開口状態によって、デフォーカスレベルの判定が行なえる。
請求項（抜粋）：
集積回路を形成するための所望のパターンと、マスク位置合わせ精度判定用のパターンと、デフォーカスレベル判定用のパターンとを備えたことを特徴とするレチクル。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 21/30 515 F
, G03F 9/00 H
, H01L 21/30 522 Z
, H01L 21/30 525 D
