特許
J-GLOBAL ID：200903075142502033
薄膜気相成長装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
成田 擴其
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-295987
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139034
出願日： 1994年11月07日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：
【要約】【目的】 被成膜基板の直近で2系統の原料ガスを均一に混合できるようにすること。【構成】 被成膜基板2はサセプタ3に載置し、横型の反応容器1内に配置される。二つの原料ガスA,Bが上下2段構造のノズル体7から被成膜基板に与えられる。ノズル体における第1及び第2ノズル12,13のガス吹き出し口14,15のうち、被成膜基板に近い側の吹き出し口15は、被成膜基板の周縁に沿う形状に形成されており、円形の基板に対し、吹き出し口の上下の端縁は基板の周縁とほぼ同心の円弧状に形成する。この吹き出し口の各位置からの原料ガスは最短距離で被成膜基板に到達し、二つの原料ガスは被成膜基板の近くで均一に混合される。被成膜基板に到達するまでの低温域で反応することによる原料ガスの損失を防ぐことができる。
請求項（抜粋）：
横型の反応容器と、この反応容器内に配置される被成膜基板に二つの原料ガスを供給する上下2段構造のノズルを有する薄膜気相成長装置において、前記ノズルにおける被成膜基板に近い側のガス吹き出し口が被成膜基板の周縁に沿う形状に構成されていることを特徴とする薄膜気相成長装置。
IPC (2件)：
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