特許

J-GLOBAL ID：200903075143602350

ダイヤモンド基体の整形方法

発明者： サンギョー ジン
出願人/特許権者： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-205841
公開番号（公開出願番号）：特開平7-166380
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1995年06月27日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 多結晶ダイヤモンド薄膜又はウエハを整形する。【構成】 ダイヤモンド基体の表面上に“エッチ減速”材料(12)層を形成し、次に適切なエッチャント(11)(たとえば溶融Ce)でエッチングする。エッチ減速材料は、処理温度においてエッチャントと低(典型的な場合5%以下)相互溶解度をもち、プロセス温度においてエッチャントと金属間化合物を本質的に形成しない材料から選択される。エッチ減速材料の中にはAg、Ca、Mg、Cr、Mo、W、V、Nb、Ta、Ti、Zr、Hf、B、P及びそれらの合金、たとえばWO2、TiO2、MoC、TiC、Fe4N、ZrN、MoN、CeB6及びMo2Bのような酸化物、窒化物、炭化物及びホウ化物がある。

請求項（抜粋）：

a)主表面を有するダイヤモンド出発基体を準備し、出発基体をプロセスにより、加工基体に変換し、b)プロセスは前記出発基体の主表面の少なくとも一部から、一定量のダイヤモンド材料を除去することを含む加工されたダイヤモンド基体を含む製品の作製方法において、工程b)は、i)出発基体の主表面の少なくとも1つのあらかじめ決められた部分上に、必ずしも均一でないあらかじめ決められた厚さのエッチ減速材料の層を形成すること;及びii)前記エッチ減速材料の前記層の少なくとも一部を、前記量のダイヤモンド材料を除去するのに効果的なプロセス温度及びプロセス時間、エッチャントに接触させ、前記エッチ減速材料は5原子パーセント以下の相互溶解度を有し、前記温度において、前記エッチャントと金属間化合物を形成しない材料から選択されることを特徴とする方法。

IPC (2件)：

C23F 4/00 ,  C30B 29/04