特許

J-GLOBAL ID：200903075144630012

圧接型半導体装置の製造方法

発明者： 福田 豊 ,  野村 和仁
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-317330
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135654
出願日： 1999年11月08日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：

【要約】【課題】 圧接型半導体装置の製造方法において、半導体素子を挟む2枚の絶縁基板の平行度を確保できる製造方法を提供する。【解決手段】 複数の半導体素子の電極パターンが表面に形成された半導体ウェハ200と、2枚の絶縁基板300とを用意し、半導体ウェハ200の両面に絶縁基板300を接合し、これらを接合した後、半導体ウェハ200と絶縁基板300とを半導体素子単位に切断する。

請求項（抜粋）：

圧接した状態で使用される圧接型半導体の製造方法であって、複数の半導体素子(2)の電極パターンが表面に形成された半導体ウェハ(200)と、2枚の絶縁基板(300)とを用意する工程と、前記半導体ウェハ(200)の両面に前記絶縁基板(300)を接合する工程と、前記接合工程の後、前記半導体ウェハ(200)と前記絶縁基板(300)とを前記半導体素子単位に切断する工程とを備えることを特徴とする圧接型半導体装置の製造方法。

Fターム (3件)：

5F047JA07 ,  5F047JA10 ,  5F047JA15