特許

J-GLOBAL ID：200903075147839915

光起電力素子及び発電システム

発明者： 狩谷 俊光 ,  斉藤 恵志
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-332060
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181325
出願日： 1992年12月11日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：

【要約】【目的】 本発明は堆積速度を向上させた従来の光起電力素子において、光励起キャリアーの再結合を防止し、開放電圧及び正孔のキャリアーレンジを向上した光起電力素子を提供することを目的とする。【構成】 水素を含有する非単結晶シリコン系のp型層、i型層、n型層を積層して構成され、i型層がマイクロ波プラズマCVD法によって形成された光起電力素子において、i型層は、H、Ge、Sn、C、価電子制御剤の内少なくとも1種を含み、H、Ge、Sn、Cの含有量が層厚方向になめらかに変化したi型層であり、且つp型層及びn型層の内少なくともひとつの層はマイクロ波プラズマCVD法で形成された層(MWドーピング層)とRFプラズマCVD法で形成された層(RFドーピング層)との積層構造からなり、RFド-ピング層がMWド-ピング層とi型層に挟まれるように配置されたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

水素を含有する非単結晶シリコン系半導体材料からなるp型層、i型層、n型層を積層して構成され、該i型層がマイクロ波プラズマCVD法によって形成された光起電力素子において、該i型層の水素含有量が層厚方向になめらかに変化し、且つ該p型層及びn型層のうち少なくともひとつの層はマイクロ波プラズマCVD法で形成された層(MWドーピング層)とRFプラズマCVD法で形成された層(RFドーピング層)との積層構造からなり、該RFド-ピング層が該MWド-ピング層と該i型層に挟まれるように配置されたことを特徴とする光起電力素子。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-177077