特許

J-GLOBAL ID：200903075147948226

光導波路の製造方法

発明者： 樫村 誠一 ,  本郷 晃史 ,  川又 繁
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-088572
公開番号（公開出願番号）：特開平6-300934
出願日： 1993年04月15日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：

【要約】【目的】膜厚及び屈折率の制御性を考慮した光導波路を効率良く形成し、従来より信頼度の高い光導波路の製造方法を提供する。【構成】まず、Si基板1の表面に厚さ5μmのSiO2 膜2を形成した。次に、このSiO2 膜2上に、電子ビーム蒸着法により屈折率制御用ドーパントであるGeが6.8mol%添加されたSi合金膜3を形成した。ここで、電子ビーム蒸着法による膜形成は、Siと屈折率制御用ドーパントであるGeが6.8mol%添加されたSi合金膜3を形成した。ここで、電子ビーム蒸着法による膜形成は、Siと屈折率制御用ドーパントであるGeをそれぞれ別の蒸発源より蒸発させる二蒸発源方式により行った。以上のような方法により形成されたGe添加Si合金膜3の付いたSi基板1を熱酸化を行い、光導波路用のコア膜を形成させた。

請求項（抜粋）：

Siを高温の酸化雰囲気中に曝し、表面に酸化膜を形成する光導波路の製造方法において、あらかじめSi基板の表面にSiO2 膜を形成し、さらにその上に屈折率制御用ドーパントも同時に添加されたSi合金膜を形成し、これを高温の酸化雰囲気中で酸化させることにより光導波路用のコア膜を形成することを特徴とする光導波路の製造方法。

IPC (2件)：

G02B 6/12 ,  H01L 27/15