特許
J-GLOBAL ID：200903075156095627
液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小野 由己男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-336872
公開番号（公開出願番号）：特開2000-162646
出願日： 1999年11月26日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：
【要約】【課題】 液晶表示装置の漏洩電流を防止すると同時に配線を保護することにある。【解決手段】 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法は、一番目のマスクを用いて基板上にゲート配線を形成し、非晶質シリコン層、ドーピングされた非晶質シリコン層およびデータ導体層を連続して積層し、二番目のマスクを用いてデータ導体層をパタニングし、データ配線およびデータ線を中心として両側のゲート線の上部にエッチング阻止層を形成し、ドーピングされた非晶質シリコン層をエッチングし接触層を形成する。保護膜を積層し、三番目のマスクを用いて保護膜、半導体層およびゲート絶縁膜をエッチングして接触孔および開口部を形成し、ITO膜を積層した後、四番目のマスクを用いて画素電極、ゲート用電極およびデータ用電極を形成する。次いで、保護膜をマスクにしてゲート絶縁膜を露出させる。
請求項（抜粋）：
一番目のマスクを用いて絶縁基板上に第1方向のゲート線およびゲート線と連結されているゲート電極を含むゲート配線を形成する段階と、前記ゲート配線および前記基板上にゲート絶縁膜、半導体である非晶質シリコン層、ドーピングされた非晶質シリコン層およびデータ導体層を順に積層する段階と、二番目のマスクを用いて前記データ導体層をパタニングし、前記第1方向と交差する第2方向に延長しているデータ線、前記データ線と連結されており前記ゲート電極に隣接するソース電極、前記ゲート電極に対し前記ソース電極の向こう側に位置するドレイン電極を含むデータ配線と前記データ線を中心として両側の前記ゲート線上部のエッチング阻止層を形成する段階と、前記データ配線および前記エッチング阻止層で覆われない前記ドーピングされた非晶質シリコン層をエッチングする段階と、前記データ配線および前記半導体層上部に保護膜を積層する段階と、三番目のマスクを用いて前記保護膜、前記非晶質シリコン層よりなる半導体層(以下、半導体層という)および前記ゲート絶縁膜をパタニングし、前記ドレイン電極および前記エッチング阻止層を露出させる第1接触孔および開口部を形成する段階と、前記保護膜および前記基板の上部に導電層を積層する段階と、四番目のマスクを用いて前記導電層をパタニングし前記第1接触孔を通じて前記ドレイン電極と連結される画素電極を形成する段階と、前記開口部に露出された前記エッチング阻止層をエッチングして前記エッチング阻止層の下部の前記ドーピングされた非晶質シリコン層よりなる接触層(以下、接触層という)を露出させる段階と、前記開口部に露出された前記接触層をエッチングし前記ゲート絶縁膜を露出させる段階と、を含む液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
IPC (3件)：
G02F 1/1365
, H01L 29/786
, H01L 21/336
G02F 1/136 500
, H01L 29/78 612 D
