特許

J-GLOBAL ID：200903075157104433

半導体膜作製方法

発明者： 張 宏勇 ,  山崎 舜平 ,  犬島 喬
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-193615
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077025
出願日： 1990年12月26日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、低温工程によって、導電率の高い半導体膜を得ることを目的とする。【解決手段】 本発明は、例えば図1で示されるスパッタ装置を用いてスパッタリングによって半導体膜を得る工程において、分圧比30%以上の割合で水素を含んでいる雰囲気中で一導電型を付与する元素が添加されたターゲットを用いることによって、導電率の高い一導電型を有する半導体膜を得る半導体膜作製方法である。

請求項（抜粋）：

水素を含む雰囲気中において半導体ターゲットを用いてスパッタリングを行い、半導体膜を基板上に作製し、前記スパッタリングによって得た半導体膜をアニールして前記半導体膜の結晶性を助長する半導体膜作製方法であって、前記スパッタリングを行う際に前記基板の温度を200°C以下とすることを特徴とする半導体膜作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/58 ,  H01L 21/20

FI (5件)：

H01L 21/203 S ,  C23C 14/34 K ,  C23C 14/34 A ,  C23C 14/58 A ,  H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-194620
  
• 特開昭63-312962
  
• 特開昭59-035015
  
• 特開昭58-180072