特許

J-GLOBAL ID：200903075168357414

太陽電池セル及びその製造方法

発明者： 中村 一世 ,  川野 研三 ,  鷲尾 英俊 ,  殿村 嘉章 ,  上村 邦夫 ,  上山 嗣之
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-188361
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022185
出願日： 1998年07月03日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】 従来と同じ基板割れ難さ、取り扱い易さを維持しながら、従来よりも耐放射線性に優れた太陽電池セル、特に宇宙用太陽電池セルを製造することを目的とする。【解決手段】 太陽電池セルの基板厚さを40μm以上110μm以下とし、表面に形成する低反射構造の凹凸深さを25μm以上とする。

請求項（抜粋）：

基板の片面もしくは両面に凹凸が形成された結晶基板を用いた太陽電池セルにおいて、該凹凸の深さが25μm以上であることを特徴とする太陽電池セル。

Fターム (8件)：

5F051AA02 ,  5F051BA02 ,  5F051BA17 ,  5F051BA18 ,  5F051GA04 ,  5F051GA11 ,  5F051GA15 ,  5F051HA01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-158678
  
• 光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-011821   出願人：シャープ株式会社
• 太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-009684   出願人：シャープ株式会社
• 特開平3-034583