特許

J-GLOBAL ID：200903075173648265

半導体製造装置の熱処理炉

発明者： 石原 將司
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-087370
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270372
出願日： 1997年03月21日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】被処理基板を加熱する際の被処理基板の均熱性を向上させる半導体製造装置の熱処理炉を提供する。【解決手段】側壁25の上下に上盤42、底盤46を気密に設け処理室5を形成し、前記側壁25を内側壁部27と外側壁部26により構成し、該内側壁部27と該外側壁部26の境界部に冷却水路33用の溝34を形成し、冷却水を前記冷却水路に流通させ側壁の内壁を全周に亘って均等に冷却する。

請求項（抜粋）：

側壁の上下に上盤、底盤が気密に設けられて処理室が形成されると共に上盤、底盤の上側、下側に加熱源が設けられ、前記側壁が内側壁部と外側壁部により構成され、該内側壁部と該外側壁部の境界部に冷却水路用の溝を形成したことを特徴とする半導体製造装置の熱処理炉。

IPC (4件)：

H01L 21/26 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/324

FI (4件)：

H01L 21/26 G ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324 G ,  H01L 21/302 B