特許

J-GLOBAL ID：200903075176310672

半導体装置

発明者： 西沢 弘一郎 ,  安藤 直人 ,  石田 多華生 ,  細木 健治
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (4件)： 高田 守 ,  葛野 信一 ,  高橋 英樹 ,  谷田 拓男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-214777
公開番号（公開出願番号）：特開2004-056031
出願日： 2002年07月24日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】素子の小型化を図ることにより、特に、マイクロ波集積回路(MMIC)等の高周波用のICに適した半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板2と、この半導体基板の表面に形成された金属層8と、この金属層を覆うように形成され周縁部で半導体基板にオーミックコンタクトする電極4と、金属層の直下に半導体基板の裏面から金属層に達する深さで形成されたバイアホール6と、このバイアホールの内面および半導体基板の裏面に形成され、金属層を介して電極と接続する接地電極7とを有することを特徴とする。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板の表面に形成された金属層と、 前記金属層を覆うように形成され周縁部で前記半導体基板にオーミックコンタクトする電極と、 前記金属層の直下に前記半導体基板の裏面から前記金属層に達する深さで形成されたバイアホールと、 前記バイアホールの内面および前記半導体基板の裏面に形成され、前記金属層を介して前記電極と接続する接地電極とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

FI (4件)：

H01L21/28 L ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/88 J ,  H01L27/04 D

Fターム (36件)：

4M104AA05 ,  4M104AA07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB11 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD06 ,  4M104DD34 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD68 ,  4M104FF02 ,  4M104FF27 ,  4M104GG12 ,  5F033GG02 ,  5F033HH03 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033MM05 ,  5F033MM17 ,  5F033MM30 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ24 ,  5F033QQ41 ,  5F033VV05 ,  5F033XX03 ,  5F033XX15 ,  5F038CA12 ,  5F038CD02 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20