特許

J-GLOBAL ID：200903075177167865

記憶素子及び記憶装置

発明者： 水口 徹也 ,  荒谷 勝久 ,  前坂 明弘 ,  河内山 彰
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-004178
公開番号（公開出願番号）：特開2006-196537
出願日： 2005年01月11日
公開日（公表日）： 2006年07月27日
要約：

【課題】 情報の記録及び読み出しを容易に安定して行うことができ、比較的簡単な製造方法で容易に製造することができる構成の記憶素子を提供する。【解決手段】 第1の電極2と第2の電極6との間に、記憶層4及びイオン源層3が挟まれて構成され、イオン源層3に、Cu,Ag,Znから選ばれるいずれかの元素と、Te,S,Seから選ばれるいずれかの元素とが含まれ、さらに、ホウ素(又は、希土類元素及びシリコン)が含有されている記憶素子10を構成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1の電極と第2の電極との間に、記憶層及びイオン源層が挟まれて構成され、 前記イオン源層に、Cu,Ag,Znから選ばれるいずれかの元素と、Te,S,Seから選ばれるいずれかの元素とが含まれ、 前記イオン源層に、さらに、ホウ素が含有されている ことを特徴とする記憶素子。

IPC (1件)：

H01L 27/10

FI (1件)：

H01L27/10 451

Fターム (8件)：

5F083FZ10 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083PR22

引用特許：

出願人引用 (1件)

• プログラマブルマイクロエレクトロニックデバイスおよびその形成およびプログラミング方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-599033   出願人：アリゾナボードオブリージェンツ