特許
J-GLOBAL ID:200903075182054939

絶縁電極およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中村 純之助 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-184730
公開番号(公開出願番号):特開平7-045817
出願日: 1993年07月27日
公開日(公表日): 1995年02月14日
要約:
【要約】【目的】平易な方法で、溝内のゲート電極と金属電極とのコンタクトを形成しうる構造とその製造方法を提供する。【構成】基板1表面の所定個所に幅がほぼ均一な溝を有し、また基板表面に絶縁体(絶縁膜37)を有し、上記の溝に埋め込まれた絶縁電極(絶縁ゲート7)が、一部をこの絶縁体に挾まれて形成されており、この挾まれた領域において絶縁電極の絶縁膜(層間絶縁膜6)にコンタクト窓20が開けられ、そのコンタクト窓の部分で、絶縁電極の導電体(ゲート電極5)が接続用の別電極(ゲート金属17)に接続されるように構成された絶縁電極。
請求項(抜粋):
半導体基体の一主面に臨んで蝕刻された幅がほぼ均一な溝の内部に、導体部分とその周囲を覆う絶縁膜とからなる絶縁電極を有し、上記主面に接して絶縁体を有し、上記絶縁電極の一部分は上記絶縁体に接して、かつ挾まれており、上記絶縁電極のうち上記絶縁体に挾まれた部分で、表面に露出した上記絶縁膜の一部にコンタクト窓が開けられて上記導体部分が露出し、上記コンタクト窓の部分で、露出した上記導体部分が別電極に接続されている、ことを特徴とする絶縁電極。

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