半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-182410
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026763
出願日： 1997年07月08日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】MOS型半導体装置のゲート絶縁酸化膜の膜質劣化を起こさずに、ゲート電極と基板を接続すること。【解決手段】ゲート酸化膜に対してフォトレジストを直接接触させることなく、工程中の蓄積電荷放出経路を形成する。これには半導体基板とゲート電極を電気的に接続する箇所の絶縁を破壊する方法を用いる。具体的には、1)イオンミキシングによる絶縁膜の破壊による方法、2)金属のシリサイゼーションを利用したゲート絶縁酸化膜の還元による方法、3)高融点金属による直接の接続方法、の3つを提案する。また、絶縁破壊された領域で半導体基板とゲート電極を接続した半導体装置を提案する。【効果】レジスト除去時に起こる膜質劣化や、工程中での蓄積電荷によるゲート膜破壊を防ぐことが容易に出来るようになった。

請求項（抜粋）：

MIS型半導体装置の製造において、半導体基板とゲート電極配線間の絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上に配線を形成する工程と、配線上をパタニングし後のイオン注入のマスクとするフォトリソグラフィー工程と、絶縁膜の絶縁を破壊し導通を取りうるイオン注入によるイオンミキシング工程からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 29/78 301 Y , H01L 21/265 N

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