半導体レーザ装置及びこれを用いた光ピックアップ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-130934
公開番号（公開出願番号）：特開平5-327129
出願日： 1992年05月22日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】製造コストが低く、半導体基板に形成する光ビーム反射面の形状の自由度が高く、装置の薄型化を図れる半導体レーザ装置とする。【構成】金属製の基台(ブロック1)上に半導体レーザチップ(レーザダイオード2)を固定し、基台に半導体レーザチップからの光ビームを所要方向に反射させる反射面(3)を形成することにより、反射面(3)の形状の自由度を高くし、また反射面(3)を介して半導体レーザ装置から出射するようにして装置の出射方向の寸法を薄くし、また構成の簡素化を図ることにより製造コストを低くするようにしたものである。

請求項（抜粋）：

金属製の基台上に半導体レーザチップを固定し、前記基台に前記半導体レーザチップからの光ビームを所要方向に反射させる反射面を形成したことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (3件)：

H01S 3/18 , G11B 7/125 , G11B 7/135

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭60-182781
特開昭62-130585

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