特許

J-GLOBAL ID：200903075183664072

発光素子

発明者： 畑 雅幸
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 福島 祥人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-391412
公開番号（公開出願番号）：特開2001-251022
出願日： 2000年12月22日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】 発光効率が高く動作電流またはしきい値電流が低い発光素子を提供することである。【解決手段】 発光層8とp-AlGaNからなるp-クラッド層10との間に、n-GaNからなるn-逆導電型層9が形成されている。n-逆導電帯層9の禁制帯幅は、発光層8の禁制帯幅に比べて大きくかつp-クラッド層10の禁制帯幅に比べて小さい。

請求項（抜粋）：

圧電効果の発生を伴う歪を有する発光層が第1のn型層と第1のp型層とに挟まれるように配置された発光素子であって、前記圧電効果の結果として発生する電位勾配のため前記発光層の電位は前記第1のn型層側が前記第1のp型層側に比べて高く、少なくとも前記発光層と前記第1のp型層との間に前記発光層よりも大きい禁制帯幅を有する第2のn型層が設けられたことを特徴とする発光素子。

Fターム (12件)：

5F073AA09 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CA22 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073EA23

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-140828   出願人：株式会社日立製作所
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-135288   出願人：松下電器産業株式会社