特許

J-GLOBAL ID：200903075187056239

半導体光素子

発明者： 武本 大作 ,  土屋 朋信 ,  青木 雅博
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-134225
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313442
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：

【要約】【課題】各種半導体レーザにおいて、高温における高い発光効率と低い動作電圧の両立を実現する。【解決手段】活性層とn-光ガイド層(n-クラッド層)との界面の価電子帯オフセット、ならびに活性層とp-光ガイド層(p-クラッド層)との界面の伝導帯オフセットは大きく、かつこれらのn-およびp-光ガイド層やクラッド層が、電極から注入される電子および正孔にとってエネルギ障壁となるようなヘテロ界面を形成しない積層構造とする。InP基板を用いたInGaAlAs系活性層を有する半導体レーザにおいて、活性層に直接接するn-クラッド層をInPまたはInGaAsPとし、活性層に直接接するp-光ガイド層をInGaAlAsまたはInAlAsとする。

請求項（抜粋）：

n型半導体基板上へ形成され、n側およびp側電極を備えており、n側およびp側の光ガイド層またはクラッド層に挟まれた活性層を有する半導体光素子であって、上記n型半導体基板と上記活性層との間に存在する半導体ヘテロ界面における伝導帯オフセット量が、上記n型基板層から上記活性層に向かって流れる電子に対して0または負の値を取り、かつ上記活性層とこれにn側電極側で隣接する上記n側光ガイド層またはクラッド層との界面における価電子帯オフセット量が、上記活性層から上記n側ガイド層またはクラッド層に向かって流れる価電子に対して正の値を取るような積層構造であることを特徴とする半導体光素子。

Fターム (8件)：

5F073AA13 ,  5F073AA46 ,  5F073AA74 ,  5F073CA15 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28