特許

J-GLOBAL ID：200903075190241497

半導体装置の製造方法および露光装置

発明者： 武久 究
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-030835
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233396
出願日： 1998年02月13日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】 低ランニングコストで、真空紫外域の波長の露光光を用いたフォトリソグラフィを実現する。【解決手段】 KrFエキシマレーザ101からの励起光K1(波長248nm)は、ビームスプリッタ110aにて一部が反射して色素レーザ発振器102を励起する。色素レーザ発振器102ではエタロン116により狭帯域化が行われ、色素レーザ発振器102からは狭帯域化された波長386nmのレーザ光L1が取り出され、色素レーザ増幅器103を経て、波長変換部104の非線形光学結晶117に入る。これにより、その第2高調波である波長193nmのレーザ光L3が発生し、注入同期型のArFエキシマレーザ105内にシード光として注入され、ArFエキシマレーザ105内では狭帯域化素子を用いることなく、露光に必要なパワーを有する狭帯域化された波長193nmの露光光L4が発生する。

請求項（抜粋）：

露光原版を経由する露光光にて前記露光原版上の所望のパターンを半導体ウェハに転写するフォトリソグラフィを用いて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、狭帯域化手段を備えた第1のレーザ発生部から出力される一つまたは複数の第1のレーザを、波長変換手段にて、より波長の短い第2のレーザに変換し、得られた前記第2のレーザをシード光として注入同期型の第2のレーザ発生部に入力し、前記第2のレーザ発生部から出力される第3のレーザを前記露光光として用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。