特許

J-GLOBAL ID：200903075194019772

半導体集積回路装置

発明者： 稲垣 光也
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-188096
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031787
出願日： 1997年07月14日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：

【要約】【課題】 従来の配線方式は、最短距離化が困難で、また、配線の低抵抗化のため配線ピッチを広げる場合に、配線量が減少するとともに、配線間カップリング容量によるクロストークの影響が大きく、信号遅延のばらつきが大きかった。【解決手段】 例えば5層配線技術を適用した半導体集積回路において、2層目の配線と3層目の配線をそれぞれ直交座標系のX方向とY方向に配設したとき、4層目の配線と5層目の配線は上記2層目と3層目の配線の方向に対して45°ずらした直交座標系のX方向とY方向にそれぞれ配設するようにした。

請求項（抜粋）：

矩形状に形成された半導体チップの1辺と平行な方向に沿って配設された第1の配線層と、該第1の配線層と直交する方向に沿って配設された第2の配線層と、上記第1の配線層または第2の配線層と90°以下の所定の角度ずれた方向に配設された第3の配線層とを有することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/82

FI (2件)：

H01L 27/04 D ,  H01L 21/82 W