特許
J-GLOBAL ID：200903075194739457
半導体素子及びその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-192153
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045911
出願日： 1993年08月03日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：
【要約】【目的】 II-VI族などの低抵抗の電気的接触を得ることが難しい半導体に良好なオ-ミック接触を形成することを可能とする。【構成】 半導体素子の構成元素のうち一つ又は複数の構成元素の混合物のうち金属状態をとりえる元素を電極の一部として用いる。このような電極は、半導体素子の結晶成長を行う分子線結晶成長装置により半導体結晶を形成した後に上記金属状態をとりうる構成元素の分子線を照射することにより容易に形成できる。【効果】 電極と半導体の中間状態の半金属を介して接合を形成することが可能となり障壁を形成せずに金属電極を形成することが可能となり、ワイドギャップの半導体に容易に低抵抗のオ-ミック電極が形成できる。
請求項（抜粋）：
少なくとも複数の構成元素が化学結合することにより構成される半導体により形成される半導体素子であって、その構成元素のうち一つ又は複数の構成元素の混合物が金属状態をとりえ、該金属状態をとりえる構成元素を該半導体素子の電極の少なくとも一部として用いることを特徴とした半導体素子。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 21/203
, H01L 21/363
