特許

J-GLOBAL ID：200903075199863032

電圧発生回路及び半導体装置

発明者： 東保 充洋 ,  松宮 正人 ,  江渡 聡 ,  中村 俊和 ,  加納 英樹 ,  北本 綾子
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-343954
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186294
出願日： 1995年12月28日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】 トランジスタの閾値が複数の半導体装置に対してばらついても各半導体装置の性能のばらつきを低減できる半導体装置を提供する。【解決手段】 第1の電圧から第2の電圧を発生するための電圧発生回路であって、トランジスタの閾値を検出する検出手段と、前記検出手段で検出したトランジスタの閾値に応じて前記第1の電圧から前記第2の電圧を発生する第1の電圧発生手段とを有する。

請求項（抜粋）：

第1の電圧から第2の電圧を発生するための電圧発生回路であって、トランジスタの閾値を検出する検出手段と、前記検出手段で検出したトランジスタの閾値に応じて前記第1の電圧から前記第2の電圧を発生する第1の電圧発生手段とを有することを特徴とする電圧発生回路。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  G11C 11/407 ,  H01L 27/115

FI (3件)：

H01L 27/04 B ,  G11C 11/34 354 F ,  H01L 27/10 434