特許
J-GLOBAL ID:200903075200876313

水素ガス製造方法及び装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-037651
公開番号(公開出願番号):特開2000-199090
出願日: 1999年01月06日
公開日(公表日): 2000年07月18日
要約:
【要約】[課題]本願発明は、クリーンエネルギーとしての水素ガスを外部エネルギーを利用することなく、密接する異種金属間に発生する電位差により、電気化学的に分解して製造し、電解液を電解液予備槽に移送して発生量を自己制御することを主たる課題とする。[解決手段]発生槽内に電解液を電気化学的に分解して水素ガスを発生する電解液と密接する異種金属からなる電極とを収納し、水素ガス発生量を電極と電解液との接触面積の変動により制御するよう、発生槽内の水素ガスの圧力により、発生槽の上方に位置した電解液予備槽に、発生槽の底部近傍に開口し電解液予備槽に通液管で導通して電解液を移送して貯蔵し、発生槽から利用器具への通気管の途中に開閉制御装置を設けて水素ガスを製造するものである。
請求項(抜粋):
発生槽内に電解液を電気化学的に分解して水素ガスを発生する電解液と接触する異種金属からなる電極とを収納し、水素ガス発生量を電極と電解液との接触面積の変動により制御するようにした水素ガス製造方法。
IPC (2件):
C25B 1/02 ,  H01M 8/06
FI (2件):
C25B 1/02 ,  H01M 8/06 G
Fターム (12件):
4K021AA01 ,  4K021BA10 ,  4K021BA17 ,  4K021BC03 ,  4K021BC07 ,  4K021CA09 ,  4K021CA13 ,  4K021DA09 ,  4K021DA13 ,  4K021DC03 ,  5H027AA02 ,  5H027BA11

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