特許
J-GLOBAL ID:200903075204504518

導電性ペースト、電子部品、積層セラミックコンデンサおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 前田 均 ,  圓尾 龍哉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-228643
公開番号(公開出願番号):特開2008-053488
出願日: 2006年08月25日
公開日(公表日): 2008年03月06日
要約:
【課題】特に内部電極層の各厚みが薄層化し、導電性粒子の粒度分布にバラツキがあったとしても、導電性粒子の焼結開始温度を上昇させる効果に差が生じず、導電性粒子の粒成長を抑制でき、球状化、電極途切れなどを有効に防止することで、静電容量の低下を抑制しつつ、電極被覆率、破壊電圧、直流等価抵抗を良好とすること。【解決手段】Niと貴金属との合金を主成分とし、平均粒子径が200〜400nmである第1導電性粒子と、Niと貴金属との合金を主成分とし、平均粒子径が40〜80nmである第2導電性粒子とを含有する導電性ペーストであって、ペースト中の全導電性成分に対する貴金属の含有量が、0.3モル%超、13モル%以下であり、第1導電性粒子における貴金属の含有割合が、0.3〜1.5モル%であり、第2導電性粒子における貴金属の含有割合が、3.3〜10モル%である。【選択図】 図6
請求項(抜粋):
ニッケルと貴金属との合金を主成分とし、平均粒子径が200nm以上、400nm以下である第1導電性粒子と、 ニッケルと貴金属との合金を主成分とし、平均粒子径が40nm以上、80nm以下である第2導電性粒子と、を含有する導電性ペーストであって、 前記導電性ペースト中の全導電性成分に対する前記貴金属の含有量が、0.3モル%超、13モル%以下であり、 前記第1導電性粒子における前記貴金属の含有割合が、0.3モル%以上、1.5モル%以下であり、 前記第2導電性粒子における前記貴金属の含有割合が、3.3モル%以上、10モル%以下であることを特徴とする導電性ペースト。
IPC (2件):
H01G 4/12 ,  H01G 4/30
FI (3件):
H01G4/12 361 ,  H01G4/12 364 ,  H01G4/30 301C
Fターム (27件):
5E001AB03 ,  5E001AC04 ,  5E001AC10 ,  5E001AD04 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AH01 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ01 ,  5E082AA01 ,  5E082AB03 ,  5E082BC40 ,  5E082EE04 ,  5E082EE23 ,  5E082EE35 ,  5E082FF05 ,  5E082FG04 ,  5E082FG26 ,  5E082FG46 ,  5E082FG54 ,  5E082GG28 ,  5E082LL02 ,  5E082PP03 ,  5E082PP06 ,  5E082PP07 ,  5E082PP09 ,  5E082PP10
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 国際公開第2004/070748号パンフレット

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