特許

J-GLOBAL ID：200903075207682794

半導体装置の製造方法

発明者： 中田 英俊
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-134512
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304169
出願日： 1992年04月28日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：

【要約】【目的】 2種類の異なる拡散層を形成する際のマスク工程を削減した半導体装置の製造方法を得る。【構成】 半導体基板1の上に所要厚さのマスク材3を形成する工程と、このマスク材3には第1イオン注入層に相当する領域はマスク材の厚さに対して開口寸法の小さな複数の第1の開口20を形成する一方、第2イオン注入層に相当する領域は略全領域にわたって第2の開口19を形成する工程と、第1の開口20に対して半導体基板1が露呈されない角度でイオン注入を行う工程と、第1の開口20に対して半導体基板1が露呈される角度でイオン注入を行う工程とを含んでいる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に対して異なる濃度の第1イオン注入層と第2イオン注入層を形成するに際し、半導体基板上に所要厚さのマスク材を形成する工程と、前記マスク材には第1イオン注入層に相当する領域はマスク材の厚さに対して開口寸法の小さな複数の第1の開口を形成する一方、第2イオン注入層に相当する領域は略全領域にわたって第2の開口を形成する工程と、第1の開口に対して半導体基板が露呈されない角度でイオン注入を行う工程と、第1の開口に対して半導体基板が露呈される角度でイオン注入を行う工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/265 V ,  H01L 21/265 L ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-172220
  
• 特開昭53-068071
  
• 特開昭53-085184
  
• 特開平4-329632