特許
J-GLOBAL ID:200903075207766092
薄膜トランジスタ及びそれを用いた液晶表示装置
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鵜沼 辰之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-188126
公開番号(公開出願番号):特開平6-037318
出願日: 1992年07月15日
公開日(公表日): 1994年02月10日
要約:
【要約】【目的】 アクティブマトリクス液晶表示装置用として、従来より層数の少ない、従って製作工程でのマスク枚数の少ない低コストのTFTを提供する。【構成】 本発明のTFTは、そのチャネル層を真性半導体膜4から、またソ-ス/ドレイン電極5をV族の金属(Nb、Sb、Ta等)から構成し、そのソ-ス/ドレイン電極5とチャネル層の真性半導体膜4とを直接接触させ、ソ-ス/ドレイン電極5の形成後に熱アニ-ルを行うことにより真性半導体膜4とソ-ス/ドレイン電極5との界面に生成された極薄の外因性半導体層を有する。【効果】 上記TFTの構造では、従来用いた外因性半導体膜及びそのチャネル保護膜がなくとも、真性半導体膜厚を極薄にでき、電気的特性は従来のそれと同等で低コストのアクティブマトリクス液晶表示装置を製造できる。
請求項(抜粋):
電界効果型の薄膜トランジスタにおいて、薄膜トランジスタのチャネル層は真性半導体膜からなり、ソ-ス/ドレイン電極は元素周期表のV族の金属からなり、真性半導体膜とソ-ス/ドレイン電極とが直接接触していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (4件):
H01L 29/784
, G02F 1/1333
, G02F 1/1343
, G02F 1/136 500
前のページに戻る