特許
J-GLOBAL ID：200903075217775952
薄膜太陽電池の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-375382
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179238
出願日： 2001年12月10日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：
【要約】【課題】 可撓性を有し変換効率が高いCIS系太陽電池を製造する方法を提供する。【解決手段】 可撓性を有する基板11上に電極膜12を形成する第1の工程と、電極膜12の上方にIb族元素とIIIb族元素とVIb族元素とを含む薄膜13を形成する第2の工程と、薄膜13を熱処理することによって、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とを含む半導体膜13aを形成する第3の工程とを含む。このようにして形成された半導体膜13aを太陽電池の光吸収層として用いる。
請求項（抜粋）：
Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とを含む半導体膜を備える薄膜太陽電池の製造方法であって、可撓性を有する基板上に電極膜を形成する第1の工程と、前記電極膜の上方に前記Ib族元素と前記IIIb族元素と前記VIb族元素とを含む薄膜を形成する第2の工程と、前記薄膜を熱処理することによって前記半導体膜を形成する第3の工程とを含む薄膜太陽電池の製造方法。
Fターム (10件)：
5F051AA10
, 5F051BA14
, 5F051CB14
, 5F051CB15
, 5F051CB24
, 5F051CB29
, 5F051CB30
, 5F051GA02
, 5F051GA03
, 5F051GA05
