特許
J-GLOBAL ID：200903075219390969
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-043736
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343515
出願日： 1993年03月04日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】平坦化を達成すると共に、微細化、高集積化を大幅に向上した半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】半導体基板1上の第1の酸化膜2の開口部側面にサイドウォール4を形成し、これをマスクとしてエッチングを行い溝8を形成した後、不純物イオンを斜め方向から注入し、溝8の側壁面及び底面に対応した半導体基板1の表面にチャネルストッパ領域9を形成する。その後、前記マスクを除去し、半導体基板1の表面に熱酸化膜5を介して第3の酸化膜6を形成した後、第3の酸化膜6を選択的に除去し、さらに等方性エッチングを行い、溝8幅より広い幅を有し且つ前記熱酸化膜5より薄い膜厚を有するキャップ酸化膜10を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の素子分離領域に形成された素子間分離用の溝内に、素子間分離用酸化膜が埋め込まれてなる半導体装置において、前記素子間分離用の溝の側壁面及び底面に対応した半導体基板の表面にのみチャネルストッパ層を備え、当該溝上に、該溝幅より広い幅を有し且つ前記素子間分離用酸化膜の成膜時の膜厚より薄い膜厚を有するキャップ酸化膜が形成されてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/265 R
, H01L 21/265 J
