特許
J-GLOBAL ID:200903075224074951

静電チャックの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-134440
公開番号(公開出願番号):特開平10-313046
出願日: 1997年05月09日
公開日(公表日): 1998年11月24日
要約:
【要約】【課題】 プラズマ溶射法では、溶射時にノズル先端の銅を削り込み、その削られた銅が誘電体層に入り込み、半導体の作製時にプラズマを用いる工程で静電チャックから銅成分が飛散し、半導体が銅汚染されるという問題があった。【解決手段】 セラミックス基板表面に電極を形成し、その上面に誘電体層を形成する静電チャックの製造方法において、該電極の形成方法が、基板表面に金属粉末にバインダーと溶剤を加えて調製したペーストで電極パターンを印刷した後、大気雰囲気中で焼成する方法であるとし、該誘電体層の形成方法が、アルミナを92.5〜85wt%、チタニアを7.5〜15wt%含む混合粉末に、バインダーと溶剤を加えて調製したペーストを電極上面に印刷した後、大気雰囲気中で1300〜1430°Cの温度で焼成し、さらに窒素雰囲気中で1250〜1330°Cの温度で加熱処理する方法であることとした静電チャックの製造方法。
請求項(抜粋):
セラミックス基板表面に電極を形成し、その上面に誘電体層を形成する静電チャックの製造方法において、該電極の形成方法が、基板表面に金属粉末にバインダーと溶剤を加えて調製したペーストで電極パターンを印刷した後、大気雰囲気中で焼成する方法であり、該誘電体層の形成方法が、アルミナを92.5〜85wt%、チタニアを7.5〜15wt%含む混合粉末にバインダーと溶剤を加えて調製したペーストを電極上面に印刷した後、大気雰囲気中で1300〜1430°Cの温度で焼成し、さらに窒素雰囲気中で1250〜1330°Cの温度で加熱処理する方法であることを特徴とする静電チャックの製造方法。
IPC (3件):
H01L 21/68 ,  B23Q 3/15 ,  C04B 41/90
FI (3件):
H01L 21/68 R ,  B23Q 3/15 D ,  C04B 41/90 C

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