特許
J-GLOBAL ID：200903075226772761
磁気抵抗効果膜およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-082906
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094326
出願日： 1994年04月21日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 バイアス機構の不要な信頼性の高い磁気抵抗効果膜を実現する。【構成】 反強磁性体と交換結合して抗磁力を与えられた一方の軟磁性薄膜と、この軟磁性薄膜と非磁性薄膜を介して積層される他の軟磁性薄膜とを有する人工格子膜による磁気抵抗効果膜において、?@軟磁性層の厚みを薄くすることで異方性磁界HK を大きくする?A軟磁性層を磁場中成膜することで異方性を与えHK を大きくする?B軟磁性材にHK の大きな材料を使う?C軟磁性層のパターン幅を1〜30μmに狭めて異方性を与え、HK を大きくするこれにより、バイアス機構が不要で、かつゼロ磁場前後で抵抗変化する磁気抵抗効果膜を得る。
請求項（抜粋）：
基板上に非磁性薄膜を介して積層した複数の磁性薄膜から成り、前記非磁性薄膜を介して隣接する一方の軟磁性薄膜に反強磁性薄膜が隣接して設け、この反強磁性薄膜のバイアス磁界をH<SB>r</SB> 、他方の軟磁性薄膜の保磁力をH<SB>C2</SB>、印加される信号磁界方向の異方性磁界をH<SB>K2</SB>としたとき、H<SB>C2</SB><H<SB>K2</SB><H<SB>r</SB>であることを特徴とする磁気抵抗効果膜。
IPC (6件)：
H01F 10/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 41/14
, H01L 43/02
, H01L 43/12
