特許

J-GLOBAL ID：200903075228570309

半導体ウエハ加工プロセス評価システム

発明者： ジェリー エイ.ステファニ ,  ステファニー ダブリュ.バトラー
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-100113
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130812
出願日： 1994年05月13日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウエハ加工プロセスの均一性を監視し、評価し、更に制御するためのシステム(60)および方法を得る。【構成】 その場楕円偏光法(20)を統計的モデル化手法とともに使用することによって、半導体ウエハ(40)表面にわたる空間的なエッチ速度パターンをプロセス条件の関数として推測する。平均エッチ速度の推測値を、選ばれた楕円偏光計評価場所(44)での平均エッチ速度測定値と、統計的実験に基づく各場所(44および48)で個別的な空間エッチ速度モデルとを使用して、ウエハ表面(42)上のその他の場所(46および48)での平均エッチ速度が推測できる。本方法は、加工プロセス中のウエハ(40)上の選ばれた場所(44)においてその場測定できる、酸化、ドーピング、および任意のその他のプロセスと一緒に使用することができる。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハの表面上に集積回路を作製する間に選ばれたプロセスが施されている前記ウエハをその場評価するためのシステムであって:前記選ばれたプロセスを実施中の前記ウエハ表面上の1つの場所において、前記選ばれたプロセスの結果を監視するためのセンサー、前記センサーにつながれて、前記ウエハ表面上の前記1つの場所におけるウエハの状態を表す前記センサーからのデータ出力を蓄積するように動作するデータ蓄積システム、および前記1つの場所において測定されたデータを、前記ウエハ表面上のその他の場所において推測される前記選ばれたプロセスの結果を示すデータへ変換するための第1の関数を使用するように動作する計算システム、を含むその場評価システム。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/302 A ,  H01L 21/302 E

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-211854
  
• 特開平3-211854
  
• 特開平2-308531
  
• 特開平3-211854