特許
J-GLOBAL ID：200903075228868650
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
村上 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-325177
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136294
出願日： 1991年11月12日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】【目的】 リードフレーム上に搭載されるパワー素子の放熱を良好にするとともに、半田劣化を小さくし、かつ取扱いを容易にする。【構成】 リードフレームのパワー素子搭載部の裏面を、外装樹脂表面に露出させてモールドするとともに、パワー素子の電気的絶縁のため、パワー素子と、露出しているヒートシンクとの間に絶縁層を設け、パワー素子はこの絶縁層上に形成されたメタライズ層に半田付けするようにした。
請求項（抜粋）：
リードフレーム上に、パワー素子と、これを制御する半導体素子を搭載し、これらを樹脂で一体成形してなる半導体装置において、上記リードフレームの主面上に、薄膜絶縁層と、さらにその上にメタライズ層を形成し、このメタライズ層にパワー素子を半田付けするとともに、このリードフレームのパワー素子搭載部の裏面を外装樹脂表面に露出した状態で一体にモールドしたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/28
, H01L 21/52
, H01L 23/34
, H01L 23/29
