特許

J-GLOBAL ID：200903075234451192

GaInAs半導体の高抵抗化方法

発明者： 宮本 広信
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-235048
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084949
出願日： 1992年09月03日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】 GaInAs層を有する電子ディバイスにおいて、GaInAs層を高抵抗化する。【構成】 高抵抗InP基板1上にアンドープAlInAs層2、アンドープGaInAs層3、アンドープAlInAs層4、SiドープAlInAs層5、アンドープAlInAs層6、SiドープGaInAs層7を形成する。SiO2 のマスク8を用いて動作層以外にイオン注入法によりGaイオンを300KeVで1×1017cm-2注入し、イオン注入領域11を形成する。イオン注入領域11は高抵抗になる。

請求項（抜粋）：

AlInAs/GaInAsヘテロ接合電界効果トランジスタにおけるGaInAs層にイオン注入法によりGaイオンを注入して結晶欠陥を発生させ、エネルギーバンドギャップを増大させてGaInAs層を高抵抗化することを特徴とするGaInAs半導体の高抵抗化方法。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/265

FI (4件)：

H01L 29/80 B ,  H01L 21/265 J ,  H01L 21/265 C ,  H01L 29/80 H