特許

J-GLOBAL ID：200903075235055851

半導体レーザの製造方法

発明者： 阿部 博明
出願人/特許権者： アルプス電気株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外12名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-204925
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054829
出願日： 1997年07月30日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】 回折格子を有する半導体レーザの製造時に、回折格子の位置ずれを起こすことなく、良好な特性が得られる製造方法を提供する。【解決手段】 コンタクト層16の上部にあらかじめ保護層30を形成しておき、この2層をエッチングしてストライプ状凸部16Aを構成した後、上部クラッド層15をエッチングすることで、所定の位置に回折格子を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、下部クラッド層と、活性層と、上部クラッド層と、コンタクト層と、電流通路を成すストライプ溝を有する電流ストップ層と、電極層とを順次積層し、底部が前記上部クラッド層に至る断面四角形状の複数の凹部をそれぞれ所定間隔あけて前記ストライプ溝方向に並設した回折格子を有する半導体レーザを製造する方法において、前記上部クラッド層上に前記コンタクト層を形成した後、上部クラッド層のドライエッチング時の耐食性を有する保護層を前記コンタクト層上に形成し、該保護層および前記コンタクト層をエッチングして前記ストライプ溝の外形形状に合わせた外形形状を有するストライプ状の凸部を前記上部クラッド層上に形成し、該ストライプ状凸部および前記クラッド層の上に前記複数の凹部形成用のマスクを成膜しドライエッチングして前記複数の凹部を形成し、前記マスクおよび前記ストライプ状凸部の表層を成す前記保護層部分を除去し、次いで前記電流ストップ層を前記クラッド層上に形成するとともに前記電極層を前記残ったストライプ状凸部上に形成することを特徴とする半導体レーザの製造方法。