特許
J-GLOBAL ID：200903075237112445

有機半導体結晶の配向成長方法とそれを利用した有機レーザーデバイス

発明者：
柳 久雄

柳 久雄 について


出願人/特許権者：
科学技術振興事業団

科学技術振興事業団 について


代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-065540
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270621
出願日： 2001年03月08日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：
【要約】【課題】 安定な発光特性を有する、π共役系オリゴマー分子を用いて、分子配列を制御した有機半導体配向結晶を基板上に自己組織化するとともに、結晶自身が低損失の導波路や共振器構造を構成することにより、レーザー発振を可能とする有機半導体結晶の配向成長方法とそれを利用した有機レーザーデバイスを提供する。【解決手段】 有機半導体結晶の配向成長方法において、π共役系オリゴマー(2)を用い、ホット・ウォール・エピタキシー法を有機半導体結晶の配向成長に適合することにより、π共役系オリゴマー分子を用いて、分子配列を制御した有機半導体配向結晶(11)を基板(6)上に自己組織化するとともに、結晶自身が低損失の導波路や共振器構造を構成することにより、レーザー発振を可能とする有機半導体結晶(11)の配向成長を行わせる。
請求項（抜粋）：
π共役系オリゴマーを用い、ホット・ウォール・エピタキシー法を有機半導体結晶の配向成長に適合することにより、π共役系オリゴマー分子を用いて、分子配列を制御した有機半導体配向結晶を基板上に自己組織化するとともに、結晶自身が低損失の導波路や共振器構造を構成することにより、レーザー発振を可能とする有機半導体結晶の配向成長を行わせることを特徴とする有機半導体結晶の配向成長方法。
IPC (3件)：
H01L 21/363 ,  C30B 29/54 ,  H01S 5/32
FI (3件)：
H01L 21/363 ,  C30B 29/54 ,  H01S 5/32
Fターム (13件)：
4G077AA04 ,  4G077BF02 ,  4G077DA17 ,  4G077SA02 ,  5F073CA24 ,  5F073CB05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA35 ,  5F103AA03 ,  5F103DD25 ,  5F103HH10 ,  5F103LL03 ,  5F103NN10
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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