特許

J-GLOBAL ID：200903075237200590

量子細線装置及び製造方法

発明者： 岡島 芳彦 ,  加藤 和男 ,  森谷 吉久
出願人/特許権者： 電気化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-323954
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183485
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【目的】 電子デバイス等に使用される半導体量子細線装置を得る。【構成】 単結晶基板に、(イ)該単結晶基板上にVLS成長法により形成された針状単結晶からなる量子細線及び(ロ)該単結晶基板と絶縁物層を介して形成された少なくとも1つの電極が設置された量子細線装置。

請求項（抜粋）：

単結晶基板に、(イ)該単結晶基板上にVLS成長法により形成された針状単結晶の量子細線及び(ロ)該単結晶基板と絶縁物層を介して形成された少なくとも1つの電極が設置されたことを特徴とする量子細線装置。

IPC (2件)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/68