特許
J-GLOBAL ID：200903075239105101
パターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-164260
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013454
出願日： 1991年07月04日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】【目的】 バッチ処理で凹凸パターンに対する反転パターンを形成する。【構成】 チャンネル層12および高濃度キャリア層15を設けた半絶縁性GaAs基板11上にダミーゲート13'を形成する。次に、ポジレジスト層16を回転塗布し、さらに表面が平坦化するようにコントラスト強調層17を回転塗布する。次に、ダミーゲート13'上のコントラスト強調層17のみがブリーチングを起こすような露光量でg線によって全面露光する。次に、コントラスト強調層17を除去し、ポジレジスト層16を現像する。このように、ノンアライメントのフォトリソプロセスを用いることによって、バッチ処理によってポジレジスト層16に凹凸パターンの反転パターンを形成することが可能となる。
請求項（抜粋）：
基板上に凹凸のパターンを形成して第1の層を形成する工程と、上記第1の層にポジレジストをコーティングして第2の層を形成し、さらに上記第2の層の凹凸を平坦化するように上記第2の層上に吸光剤をコーティングして第3の層を形成する工程と、上記第3の層の表面を所定の露光量で全面露光して結果的に第2の層の凸部に対応する箇所の上記ポジレジストのみを露光させた後に上記第3の層を除去し、上記第2の層を現像して上記第2の層における凹部のみを選択的に残すことによって、上記第2の層に上記第1の層の反転パターンを形成する工程からなることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/302
