特許
J-GLOBAL ID：200903075242808555
半導体不揮発性メモリおよびその書き込み方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-202162
公開番号（公開出願番号）：特開平6-044793
出願日： 1991年07月18日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【構成】 半導体装置の駆動電源の高電位側とビット線6との間に接続する第1のメモリ素子1と、半導体装置の駆動電源の高電位側とビット線6との間に接続する第2のメモリ素子7と、このビット線6とワード線10との間に設ける抵抗素子9とを有する。【効果】 半導体不揮発性メモリへ情報を書き込みを行った後、この書き込んだ情報の修正を行うことが可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体装置の駆動電源の高電位側とビット線との間に接続する第1のメモリ素子と、該半導体装置の駆動電源の高電位側とビット線との間に接続する第2のメモリ素子と、該ビット線とワード線との間に接続する抵抗素子とを有することを特徴とする半導体不揮発性メモリ。
引用特許：
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