特許
J-GLOBAL ID:200903075249238967
放射線撮像装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
長谷川 芳樹
, 塩田 辰也
, 寺崎 史朗
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-342558
公開番号(公開出願番号):特開2004-177217
出願日: 2002年11月26日
公開日(公表日): 2004年06月24日
要約:
【課題】増幅部への放射線の入射を抑制して、当該増幅部の特性が劣化するのを防止することが可能な放射線撮像装置を提供すること。【解決手段】放射線撮像装置1は、固体撮像素子11、シンチレータ21、マウント基板31、枠体41等を備える。固体撮像素子11は、MOS型イメージセンサであって、Si基板12の一方面側に形成された光感応部13を有する。光感応部13は、光電変換を行う光電変換素子としてのフォトダイオード14を複数含んでいる。Si基板12が固定されるマウント基板31には、増幅素子17が固定されている。増幅素子17の上には、銀フィラーからなる保護部材20が設けられている。素子16及び増幅素子17の上には、銀フィラーからなる保護部材20がそれぞれ設けられている。保護部材20は、素子16に形成されたシフトレジスタ部15、増幅素子17に形成された増幅部18、を覆っている。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
入射された光を光電変換する光感応部と、
前記光感応部からの出力を増幅する増幅部と、
前記光感応部の光入射面に対して配置され、放射線を可視光に変換するシンチレータと、
気体よりも阻止能が高い材料を含み、前記増幅部を覆う保護部材と、を有することを特徴とする放射線撮像装置。
IPC (5件):
G01T1/20
, H01L27/14
, H01L31/09
, H04N5/32
, H04N5/335
FI (8件):
G01T1/20 L
, G01T1/20 E
, G01T1/20 G
, H04N5/32
, H04N5/335 E
, H01L31/00 A
, H01L27/14 K
, H01L27/14 D
Fターム (32件):
2G088EE01
, 2G088FF02
, 2G088GG19
, 2G088GG20
, 2G088JJ05
, 2G088JJ09
, 2G088JJ29
, 2G088KK05
, 2G088LL12
, 4M118AA05
, 4M118AB01
, 4M118BA10
, 4M118BA14
, 4M118CA02
, 4M118CB11
, 4M118FA06
, 4M118GA10
, 4M118HA20
, 4M118HA22
, 4M118HA30
, 4M118HA40
, 5C024AX12
, 5C024GX07
, 5C024GY31
, 5F088AA01
, 5F088BA10
, 5F088BB03
, 5F088EA04
, 5F088EA07
, 5F088JA16
, 5F088JA17
, 5F088KA08
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