特許

J-GLOBAL ID：200903075249542909

半導体装置

発明者： 今岡 俊一 ,  今井 伸明
出願人/特許権者： 株式会社エイ・ティ・アール光電波通信研究所
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-067898
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232513
出願日： 1996年03月25日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】 従来例に比較して、積層された半導体チップの各回路間の干渉を防止でき、かつより高い周波数で動作する回路を高密度に構成することができ、しかも薄い半導体装置を提供する。【解決手段】 2つの面のうちの少なくとも一方にトランジスタを含む回路が形成された半導体基板と、半導体基板の2つの面にそれぞれ形成された絶縁膜と、絶縁膜の表面に形成され上記回路に接続された接続用電極とを備え、かつ接続用電極が形成された部分を除いて上記絶縁膜の表面を覆うように、上記各絶縁膜の表面に接地導体が形成された半導体装置を、各半導体装置の各接地導体を互いに接続する接続手段を用いて各半導体基板の厚さ方向に複数個積層した。

請求項（抜粋）：

互いに対向する2つの面を有し、上記2つの面のうちの少なくとも一方にトランジスタを含む回路が形成された半導体基板と、上記半導体基板の2つの面にそれぞれ形成された絶縁膜と、上記絶縁膜の表面に形成され、上記回路に接続された接続用電極とを備えた半導体装置であって、上記接続用電極が形成された部分を除いて上記絶縁膜の表面を覆うように、上記各絶縁膜の表面に表面接地導体を形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/00 301 ,  H01L 27/00 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (3件)：

H01L 27/00 301 W ,  H01L 27/00 301 B ,  H01L 25/08 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特公昭61-055255
  
• 特開昭61-043463
  
• 特開昭62-272556