特許
J-GLOBAL ID：200903075255795479
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-240420
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055232
出願日： 1991年08月27日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】 結晶欠陥を不純物拡散層の表面にゲッタリングすることにより、リーク電流を防止するようにした半導体装置の製造方法を提供することである。【構成】 半導体基板2の表面にイオン注入を行い不純物の拡散層16,20を形成する半導体装置の製造方法において、イオン注入を行う前に、半導体基板2の表面に、アモルファスシリコンなどで構成されるバッファ層14を被覆し、このバッファ層14の上からイオン注入を行い、イオン注入された半導体装置をアニール処理し、結晶欠陥を、上記バッファ層14と拡散層16,20との不整合界面18付近に取り込み、ゲッタリングを行う。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面にイオン注入を行い不純物の拡散層を形成する半導体装置の製造方法において、イオン注入を行う前に、半導体基板の表面に、バッファ層を被覆し、このバッファ層の上からイオン注入を行い、イオン注入された半導体装置をアニール処理し、結晶欠陥を、上記バッファ層と拡散層との不整合界面付近に取り込み、ゲッタリングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/322
, H01L 21/336
, H01L 29/784
