特許

J-GLOBAL ID：200903075257024720

埋め込み絶縁膜を有する半導体の製造方法

発明者： 梶山 健二 ,  矢野 孝幸 ,  中島 辰雄
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-213990
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078647
出願日： 1994年09月07日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】 絶縁膜を有するシリコンウェハにおいて、埋め込み絶縁膜の致命的な欠陥である電流パスを低減する。【構成】 電流パスを低減した埋め込み絶縁膜を有するシリコンウェハを得るため、酸素イオンあるいは窒素イオンを注入してアニールして製作する際、イオン注入途中でシリコンウェハを洗浄することにより、注入を遮蔽する虞のあるシリコンウェハ表面に付着した粒子を除去し、注入酸素あるいは窒素が不足しないように、あるいは、注入深さが浅くならないようにし、また、ウェハの面内を回転して注入量の均一性を改善して埋め込み絶縁膜厚を均一にし、電流パスの発生を防止する。

請求項（抜粋）：

埋め込み絶縁膜を有する半導体の製造方法において、シリコンウェハに酸素イオンあるいは窒素イオンを注入する工程の途中で、シリコンウェハを少なくとも1回以上洗浄する洗浄工程を有することを特徴とする埋め込み絶縁膜を有する半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/304 341