特許

J-GLOBAL ID：200903075267122267

ジョセフソン接合素子の製造方法

発明者： 木村 浩 ,  松井 俊之 ,  鈴木 健 ,  山口 太秀 ,  上條 洋
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-079225
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279630
出願日： 1995年04月05日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【目的】超電導エネルギーギャップが大きく且つ製造容易なジョセフソン接合素子の製造方法を得る。【構成】酸化物常電導層を酸化物超電導層ではさんだジョセフソン素子を以下の方法で作製する。酸化物層11の表面にアルゴンイオンを照射して絶縁層12を形成し、次いで他方の酸化物層13を積層する。

請求項（抜粋）：

基板上に第一の酸化物超電導層と酸化物常電導層と第二の酸化物超電導層とを順次積層してなるジョセフソン接合素子の製造方法において、前記第一の酸化物超電導層を積層した後、該第一の酸化物超電導層の表面にアルゴンイオンを照射して第一の酸化物超電導層の表面を絶縁層化し、次いで前記酸化物常電導層と前記第二の酸化物超電導層とを積層することを特徴とするジョセフソン接合素子の製造方法。