特許

J-GLOBAL ID：200903075270638525

半導体装置およびその製造方法

発明者： 寺内 崇 ,  新川田 裕樹
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-191607
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021983
出願日： 1998年07月07日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】 本発明はセルフアライン方式でコンタクトを設ける場合に好適な構造を有する半導体装置に関し、コンタクトを安定に形成し、かつ、コンタクトの接触抵抗を抑制するうえで好適な構造を実現することを目的とする。【解決手段】 シリコン基板10の上に酸化膜26を形成する。酸化膜26の上に配線パターン34を形成する。配線パターンの上部および側部に窒化膜上壁36および窒化膜側壁38を形成する。層間酸化膜40を堆積させた後セルフアライン法によりコンタクトホール42を形成する。窒化膜側壁38の下部において、酸化膜26の側端部32が後退するように等方性のエッチングを行う。上記の等方性エッチングにより下端部の径が拡大されたコンタクトホール42の内部にコンタクト44を形成する。

請求項（抜粋）：

配線パターンと、前記配線パターン上に形成された窒化膜上壁と、前記配線パターンの側面に形成された窒化膜側壁と、前記配線パターンに挟まれる位置に、前記窒化膜上壁および前記窒化膜側壁により前記配線パターンから絶縁された状態で形成されたコンタクトと、前記配線パターンの下方に形成され、前記窒化膜側壁の底面に比して低い位置に底面を有する酸化膜とを備え、前記酸化膜の側端面が、前記窒化膜側壁の表側面に比して前記配線パターン側に引き込まれた位置に形成されていると共に、前記コンタクトが前記窒化膜側壁の下部に入り込んでいることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28

FI (2件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 L

Fターム (45件)：

4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB25 ,  4M104BB28 ,  4M104BB30 ,  4M104DD04 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD10 ,  4M104DD11 ,  4M104DD16 ,  4M104DD43 ,  4M104DD66 ,  4M104DD72 ,  4M104EE12 ,  4M104FF07 ,  4M104FF21 ,  4M104FF27 ,  4M104GG16 ,  4M104HH15 ,  5F033AA02 ,  5F033AA15 ,  5F033AA17 ,  5F033AA18 ,  5F033AA19 ,  5F033AA28 ,  5F033AA29 ,  5F033BA02 ,  5F033BA12 ,  5F033BA15 ,  5F033BA24 ,  5F033BA25 ,  5F033BA31 ,  5F033BA38 ,  5F033BA46 ,  5F033DA02 ,  5F033DA07 ,  5F033DA14 ,  5F033DA32 ,  5F033EA02 ,  5F033EA19 ,  5F033EA22 ,  5F033EA25 ,  5F033EA28 ,  5F033EA33