特許
J-GLOBAL ID：200903075279630489

半導体装置を形成する方法

発明者：
フィリップ・ジェイ・トビン

フィリップ・ジェイ・トビン について

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ラマ・アイ・ヘッジ

ラマ・アイ・ヘッジ について

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シン-ファン・セン

シン-ファン・セン について

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デービッド・オーメラ

デービッド・オーメラ について

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ビクター・ワン

ビクター・ワン について


出願人/特許権者：
モトローラ・インコーポレイテッド

モトローラ・インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 池内 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-231211
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121453
出願日： 1998年08月03日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】 制御された/仕立てられた酸素濃度および酸素プロフィールを有する高いKのオキシナイトライドゲート誘電体を形成可能にする。【解決手段】 オキシナイトライドゲート誘電体層202,204を形成する方法はまず半導体基板200を処理工程10-28によって清浄化する。任意選択的な窒化および酸化がステップ50および60によって行なわれ薄い界面層202を形成する。バルクオキシナイトライドゲート被着がステップ70によって行なわれて注文仕立てされた酸素および窒素プロフィールおよび濃度を有するバルクゲート誘電体材料204を形成する。次にバルク誘電体層204を多結晶シリコンまたはアモルファスシリコン層208でインシトゥキャッピングする。層208は下に横たわるゲート誘電体204の注文仕立てされた酸素および窒素プロフィールおよび濃度をその後の酸素環境へのウェーハの露出に対して保護する。
請求項（抜粋）：
ゲート誘電体を形成することによって半導体装置を形成する方法であって、半導体基板を提供する段階、誘電体被着プロセスの間において、前記半導体基板を前記ゲート誘電体を形成する間の第1の期間の間窒素含有ガスに露出しかつ第2の期間の間酸素含有ガスに露出する段階、そして前記ゲート誘電体を形成する間に時間と共に前記窒素含有ガスに対する酸素含有ガスの比率を変えて前記ゲート誘電体の厚さにわたり変化する酸素-窒素プロフィールを生成する段階であって、前記ゲート誘電体は窒素原子および酸素原子の双方を含むもの、を具備することを特徴とするゲート誘電体を形成することによって半導体装置を形成する方法。
IPC (2件)：
H01L 21/318 ,  H01L 29/78
FI (2件)：
H01L 21/318 C ,  H01L 29/78 301 G
引用特許：
審査官引用 (17件)
  • 特開平3-242978
  • 半導体装置およびその作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-152879   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 特開平1-243418
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